對功率器件 SIC /高壓 FET / IGBT 等施加高電壓,可進行 BT (偏置熱應(yīng)力試驗)試驗。用于評估汽車、鐵路等使用的高壓設(shè)備
■ 柵極 BT 1nA 至 10μA
■ 漏極 BT 測試 1μA 至 30mA
■ /Id 測量 1μA 至 30mA
■ /Vg 監(jiān)視器 -30V 至 +30V
電壓可高達(dá) 2000V,可同時施加 16CH /單元
■ 柵極應(yīng)用 ±30V 30mA(單元內(nèi)電源)
■ 漏極應(yīng)用高電壓 2kV 30mA(外部電源)
■ 漏極應(yīng)用低電壓 +30V 30mA(單元內(nèi)電源)